安世半导体
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BCP69-16
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 安世半导体 晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 1 A, SC-73封装, 140 MHz, 4引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 1 A 最大集电极-发射极电压: 20 V 封装类型: SC-73 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 1.4 W 最小直流电流增益: 100 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 32 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 140 MHz 引脚数目: 4 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.7 x 6.7 x 3.7mm 长度: 6.7mm 宽度: 3.7mm 高度: 1.7mm 最低工作温度: -65 °C 最大集电极-发射极饱和电压: 0.5 V
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 安世半导体 晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 1 A, SC-73封装, 140 MHz, 4引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 1 A 最大集电极-发射极电压: 20 V 封装类型: SC-73 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 1.4 W 最小直流电流增益: 100 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 32 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 140 MHz 引脚数目: 4 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.7 x 6.7 x 3.7mm 长度: 6.7mm 宽度: 3.7mm 高度: 1.7mm 最低工作温度: -65 °C 最大集电极-发射极饱和电压: 0.5 V
PESD5V0S1BA
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 TVS二极管, 双向, SOD-323封装
二极管配置: 单路 方向类型: 双向 最大钳位电压: 14V 最小击穿电压: 5.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-323 最大反向待机电压: 5V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 130W 最大峰值脉冲电流: 12A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.8 x 1.35 x 1.05mm
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 TVS二极管, 双向, SOD-323封装
二极管配置: 单路 方向类型: 双向 最大钳位电压: 14V 最小击穿电压: 5.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-323 最大反向待机电压: 5V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 130W 最大峰值脉冲电流: 12A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.8 x 1.35 x 1.05mm
BZV55-C5V1
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 安世半导体 稳压二极管, 额定齐纳电压5.1V, 表面贴装, MiniMELF封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 5.1V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 500 mW 封装类型: MiniMELF 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 60Ω 最大反向漏电流: 2µA 尺寸: 3.7 x 1.6 x 1.6mm
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 安世半导体 稳压二极管, 额定齐纳电压5.1V, 表面贴装, MiniMELF封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 5.1V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 500 mW 封装类型: MiniMELF 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 60Ω 最大反向漏电流: 2µA 尺寸: 3.7 x 1.6 x 1.6mm
74HCT4051PW
供应商: RS
分类: 复用器和解复用器芯片
描述: 安世半导体 多路器开关芯片, TSSOP封装, 16引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 16 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm
供应商: RS
分类: 复用器和解复用器芯片
描述: 安世半导体 多路器开关芯片, TSSOP封装, 16引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 16 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm
PTVS3V3P1UTP
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 TVS二极管, 单向, SOD-128封装
二极管配置: 单路 方向类型: 单向 最大钳位电压: 8V 最小击穿电压: 5.2V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-128 最大反向待机电压: 3.3V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 600W 最大峰值脉冲电流: 75A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +185 °C 尺寸: 4 x 2.7 x 1.1mm
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 TVS二极管, 单向, SOD-128封装
二极管配置: 单路 方向类型: 单向 最大钳位电压: 8V 最小击穿电压: 5.2V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-128 最大反向待机电压: 3.3V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 600W 最大峰值脉冲电流: 75A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +185 °C 尺寸: 4 x 2.7 x 1.1mm
74HC04PW
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 安世半导体 反相器, 14引脚, TSSOP封装, 最高工作温度 +125 °C, 6 V电源, 否输入, 电压输出
逻辑功能: 逆变器 输出类型: 电压 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 130ns 最大高电平输出电流: -5.2mA 最大低电平输出电流: 5.2mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 逻辑系列: HC 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 最大工作电源电压: 6 V 长度: 5.1mm 传输延迟测试条件: 50pF 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 4.5mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +125 °C
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 安世半导体 反相器, 14引脚, TSSOP封装, 最高工作温度 +125 °C, 6 V电源, 否输入, 电压输出
逻辑功能: 逆变器 输出类型: 电压 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 130ns 最大高电平输出电流: -5.2mA 最大低电平输出电流: 5.2mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 逻辑系列: HC 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 最大工作电源电压: 6 V 长度: 5.1mm 传输延迟测试条件: 50pF 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 4.5mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +125 °C
PMEG3002AEB
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: 安世半导体 肖特基二极管, 最大连续正向电流200mA, 峰值反向重复电压30V, 表面贴装安装, SOD-523封装, 2引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-523 最大连续正向电流: 200mA 峰值反向重复电压: 30V 二极管配置: 单路 二极管类型: 肖特基 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 肖特基 峰值非重复正向浪涌电流: 1A
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: 安世半导体 肖特基二极管, 最大连续正向电流200mA, 峰值反向重复电压30V, 表面贴装安装, SOD-523封装, 2引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-523 最大连续正向电流: 200mA 峰值反向重复电压: 30V 二极管配置: 单路 二极管类型: 肖特基 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 肖特基 峰值非重复正向浪涌电流: 1A
74LVC16373ADGG
供应商: RS
分类: 锁存器
描述: 安世半导体 弹簧锁, 48引脚 16Bit位 TSSOP封装非反相 D 型, 三态输出+125 °C-40 °C表面贴装 透明
逻辑系列: LVC 闭锁模式: 透明 闭锁元件: D 型 位元数目: 16Bit 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 48 尺寸: 12.6 x 6.2 x 1.05mm 高度: 1.05mm 长度: 12.6mm
供应商: RS
分类: 锁存器
描述: 安世半导体 弹簧锁, 48引脚 16Bit位 TSSOP封装非反相 D 型, 三态输出+125 °C-40 °C表面贴装 透明
逻辑系列: LVC 闭锁模式: 透明 闭锁元件: D 型 位元数目: 16Bit 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 48 尺寸: 12.6 x 6.2 x 1.05mm 高度: 1.05mm 长度: 12.6mm
BC847BPN,115
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 安世半导体 晶体管, NPN + PNP, UMT封装, 表面贴装安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
晶体管类型: NPN + PNP 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: UMT 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 晶体管配置: 隔离式 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 100 MHz 引脚数目: 6 每片芯片元件数目: 2 尺寸: 1 x 2.2 x 1.35mm
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 安世半导体 晶体管, NPN + PNP, UMT封装, 表面贴装安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
晶体管类型: NPN + PNP 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: UMT 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 晶体管配置: 隔离式 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 100 MHz 引脚数目: 6 每片芯片元件数目: 2 尺寸: 1 x 2.2 x 1.35mm