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TM40P03DF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 40A PDFN8_3X3MM
封装/外壳: PDFN-8(3x3) 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容: 1.33nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 高度: 0.75mm 引脚数: 8Pin 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 40A PDFN8_3X3MM
封装/外壳: PDFN-8(3x3) 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容: 1.33nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 高度: 0.75mm 引脚数: 8Pin 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm
TM40P04DF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 40A PDFN8_3X3MM
安装类型: SMT 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 高度: 0.75mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 40A PDFN8_3X3MM
安装类型: SMT 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 高度: 0.75mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 引脚数: 8Pin
TM40P04NF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 40A PDFN8_5X6MM
安装类型: SMT 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 高度: 1.17mm 长x宽/尺寸: 6.00 x 5.00mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 40A PDFN8_5X6MM
安装类型: SMT 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 高度: 1.17mm 长x宽/尺寸: 6.00 x 5.00mm 引脚数: 8Pin
TM07G04S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道 N沟道 VDS:40V ID:7.3A RDS(ON):26mΩ(Typ.) VGS:10V P沟道 VDS:-40V ID:-6.3A RDS(ON):56mΩ(Typ.) VGS:-10V
封装/外壳: SOP-8 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 40V,40V 极性: 1个N沟道+1个P沟道 连续漏极电流: 7.3A,6.1A 高度: 1.45mm 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道 N沟道 VDS:40V ID:7.3A RDS(ON):26mΩ(Typ.) VGS:10V P沟道 VDS:-40V ID:-6.3A RDS(ON):56mΩ(Typ.) VGS:-10V
封装/外壳: SOP-8 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 40V,40V 极性: 1个N沟道+1个P沟道 连续漏极电流: 7.3A,6.1A 高度: 1.45mm 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 引脚数: 8Pin
TM15P04S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 15A SOP-8
封装/外壳: SOP-8 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 1.5nF@20V 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 15A 高度: 1.45mm 引脚数: 8Pin 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 15A SOP-8
封装/外壳: SOP-8 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 1.5nF@20V 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 15A 高度: 1.45mm 引脚数: 8Pin 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm
TM110P04P
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 110A TO-220AB
安装类型: 插件 封装/外壳: TO-220AB 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 110A 高度: 16.51mm 长x宽/尺寸: 10.67 x 4.83mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 40V 110A TO-220AB
安装类型: 插件 封装/外壳: TO-220AB 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 110A 高度: 16.51mm 长x宽/尺寸: 10.67 x 4.83mm 引脚数: 3Pin
TM25G04GD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道 N沟道 VDS:40V ID:25A RDS(ON):17mΩ(Typ.) VGS:10V P沟道 VDS:-40V ID:-23A RDS(ON):35mΩ(Typ.) VGS:-10V
封装/外壳: TO-252-4 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 40V,40V 极性: 1个N沟道和1个P沟道 连续漏极电流: 25A,23A 高度: 2.29mm 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: 6.54 x 5.78mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道 N沟道 VDS:40V ID:25A RDS(ON):17mΩ(Typ.) VGS:10V P沟道 VDS:-40V ID:-23A RDS(ON):35mΩ(Typ.) VGS:-10V
封装/外壳: TO-252-4 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 40V,40V 极性: 1个N沟道和1个P沟道 连续漏极电流: 25A,23A 高度: 2.29mm 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: 6.54 x 5.78mm
TM20G06GD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道:N沟道 VDS:60V ID:20A RDS(ON):30mΩ(Typ.) VGS:10V P沟道 VDS:-60V ID:-15A RDS(ON):70mΩ(Typ.) VGS:-10V
安装类型: SMT 封装/外壳: TO-252-4L 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ,70mΩ 漏源电压(Vdss): 60V,60V 极性: 1个N沟道+1个P沟道 连续漏极电流: 20A,15A 高度: 2.39mm 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道:N沟道 VDS:60V ID:20A RDS(ON):30mΩ(Typ.) VGS:10V P沟道 VDS:-60V ID:-15A RDS(ON):70mΩ(Typ.) VGS:-10V
安装类型: SMT 封装/外壳: TO-252-4L 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ,70mΩ 漏源电压(Vdss): 60V,60V 极性: 1个N沟道+1个P沟道 连续漏极电流: 20A,15A 高度: 2.39mm 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 引脚数: 4Pin
TM80PL03NF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 25V 80A PDFN8_5X6MM
封装/外壳: PDFN-8(5x6) 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 25V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 80A 高度: 1.10mm 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 25V 80A PDFN8_5X6MM
封装/外壳: PDFN-8(5x6) 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 25V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 80A 高度: 1.10mm 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 引脚数: 8Pin
TM65P03DF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 65A PDFN8_3X3MM
安装类型: SMT 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 65A 高度: 0.75mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 65A PDFN8_3X3MM
安装类型: SMT 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 功率耗散: 45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 65A 高度: 0.75mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 引脚数: 8Pin