DIODES(美台)

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商品列表
AP3770BK6TR-G1
供应商: Anychip Mall
分类: AC-DC控制器和稳压器
AZ1117T-5.0
供应商: Anychip Mall
分类: 低压差线性稳压(LDO)
AH276Q-BL-B
供应商: Anychip Mall
分类: 无
商品名称: AH276Q-BL-B 封装规格: SIP4 商品编号: C26738 商品毛重: 0.000300 KG
DMG3420U-7
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-5.47A(Ta)-740mW(Ta)-SOT-23-3
漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 5.47A 栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA 漏源导通电阻: 29mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C): 740mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.47A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.4nC @ 4.5V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 434.7pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 740mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DMN1150UFB-7B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-12V-1.41A(Ta)-500mW(Ta)-3-X1DFN1006
漏源电压(Vdss): 12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 1.41A 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA 漏源导通电阻: 150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C): 500mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.41A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值): ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 106pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 500mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 3-X1DFN1006 封装/外壳: 3-UFDFN
2N7002K-7
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-380mA(Ta)-370mW(Ta)-SOT-23-3
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 380mA 栅源极阈值电压: 2.5V @ 1mA 漏源导通电阻: 2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C): 370mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 380mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): .3nC @ 4.5V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
2N7002W-7-F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-115mA(Ta)-200mW(Ta)-SOT-323
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 115mA 栅源极阈值电压: 2V @ 250uA 漏源导通电阻: 7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C): 200mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 200mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70,SOT-323
DMN65D8L-7
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-310mA(Ta)-370mW(Ta)-SOT-23
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 310mA 栅源极阈值电压: 2V @ 250uA 漏源导通电阻: 3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C): 370mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 310mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 @ 115mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): .87nC @ 10V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
2N7002-7-F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-115mA(Ta)-370mW(Ta)-SOT-23-3
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 115mA 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C): 370mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DMG1012UW-7
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-1A(Ta)-290mW(Ta)-SOT-323
漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 1A 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA 漏源导通电阻: 450mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C): 290mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): .74nC @ 4.5V Vgs(最大值): ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF @ 16V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 290mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70,SOT-323