无锡紫光微
None
商品列表
TTD18P10AT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
TTU08N02ATS
供应商: Anychip Mall
描述: N-Channel Trench MOSFET,Vdss=20V,Id=8A,Rds(on)=37mΩ(Vgs=10V,Id=4A)
供应商: Anychip Mall
描述: N-Channel Trench MOSFET,Vdss=20V,Id=8A,Rds(on)=37mΩ(Vgs=10V,Id=4A)