VISHAY(威世)
商品列表
HS0038B3VM
供应商: Anychip Mall
分类: 红外接收管
商品名称: HS0038B3VM 管装 封装规格: 38KHZ 品 牌: VISHAY(威世) 国际品牌 商品编号: C5128 商品毛重: 0.010000 KG
供应商: Anychip Mall
分类: 红外接收管
商品名称: HS0038B3VM 管装 封装规格: 38KHZ 品 牌: VISHAY(威世) 国际品牌 商品编号: C5128 商品毛重: 0.010000 KG
SI4431DY-T1
供应商: Bristol Electronics
供应商: Bristol Electronics
SI4431DY-T1
供应商: Velocity Electronics
供应商: Velocity Electronics
SI2301CDS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.1A 漏源电压（Vdss）: 20V 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA 漏源导通电阻: 112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 860mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 405pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 860mW（Ta），1.6W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.1A 漏源电压（Vdss）: 20V 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA 漏源导通电阻: 112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 860mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 405pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 860mW（Ta），1.6W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TP0610K-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-60V-185mA（Ta）-350mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 185mA 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 185mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.7nC @ 15V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 23pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-60V-185mA（Ta）-350mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 185mA 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 185mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.7nC @ 15V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 23pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI2302CDS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2.9A 栅源极阈值电压: 850mV @ 250uA 漏源导通电阻: 57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 710mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 850mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 710mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2.9A 栅源极阈值电压: 850mV @ 250uA 漏源导通电阻: 57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 710mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 850mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 710mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF9630PBF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 800 毫欧 @ 3.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 74W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 800 毫欧 @ 3.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 74W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3
2N7002K-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-300mA（Ta）-350mW（Ta）-TO-236
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 300mA 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .6nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 30pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-300mA（Ta）-350mW（Ta）-TO-236
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 300mA 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .6nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 30pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3