EPC2033
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
GANFET N-CH 150V 31A DIE
物料参数
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 9mA |
| FET 功能: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10 nC @ 5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1140 pF @ 75 V |