XP152A12C0MR
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
物料参数
| FET类型: | P 沟道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 700mA（Ta） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 300 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 180pF @ 10V |
| FET功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 供应商器件封装: | SOT-23 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |