STS3DNE60L
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
物料参数
| FET类型: | 2 N-通道（双） |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 3A |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 80 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 13.5nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 815pF @ 25V |
| 功率-最大值: | 2W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 2500+ | ¥0.5542 |
| 5000+ | ¥0.5166 |
| 7500+ | ¥0.5125 |
| 包装：2500 | 库存：0 |