EPC2108ENGRT
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
3 N 沟道（半桥 + 同步自举） Mosfet 阵列 60V，100V 1.7A，500mA 表面贴装 9-BGA (1.35x1.35)
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | Digi-Reel® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） |
| FET功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V，100V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 1.7A，500mA |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 功率-最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 9-VFBGA |
| 供应商器件封装: | 9-BGA (1.35x1.35) |