EPC2100ENGRT
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
物料参数
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta），40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 475pF @ 15V，1960pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 基本产品编号: | EPC2100 |