MSRTA200100(A)D
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分立半导体产品>>二极管 - 整流器 - 阵列
描述
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
物料参数
| 制造商: | GeneSiC Semiconductor |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 有源 |
| 二极管配置: | 1 对串联 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: | 200A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 三塔 |
| 供应商器件封装: | 三塔 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 1000V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.1V @ 200A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10µA @ 1000V |