EPC2100ENG
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 10A（Ta），40A（Ta） 表面贴装 模具
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | Digi-Key 停产 |
| FET类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 10A（Ta），40A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 475pF @ 15V，1960pF @ 15V |
| 功率-最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |