GT10J312(Q)
品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停產 |
| IGBT 类型: | - |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V @ 15V，10A |
| 开关能量: | - |
| 输入类型: | 标准 |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 400ns/400ns |
| 测试条件: | 300V，10A，100 欧姆，15V |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | TO-220SM |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 10 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 20 A |
| 功率 - 最大值: | 60 W |
| 反向恢复时间 (trr): | 200 ns |
| 基本产品编号: | TLP176 |
无库存