GPA015A120MN-ND
品牌
SEMIQ
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
物料参数
| 制造商: | SemiQ |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 30 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 45 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.5V @ 15V，15A |
| 功率 - 最大值: | 212 W |
| 开关能量: | 1.61mJ（开），530µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 210 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 25ns/166ns |
| 测试条件: | 600V，15A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 320 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装: | TO-3PN |