NVBG020N090SC1
品牌
ONSEMI
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
物料参数
| 制造商: | onsemi |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.8A（Ta），112A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 28 毫欧 @ 60A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.3V @ 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 200 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值）: | +19V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4415 pF @ 450 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.7W（Ta），477W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D2PAK-7 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 基本产品编号: | NVBG020 |