EPC8009ENGR
品牌
供应商
分类
分立半导体产品
物料参数
| 应用说明: | Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal Procedure |
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | FET - 单 |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | 托盘 |
| FET类型: | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 65V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 4.1A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 138 毫欧 @ 500mA，5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 0.38nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 47pF @ 32.5V |
| 功率-最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 配用: | 917-1070-ND- EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP917-1144-ND- BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F |
| 其它名称: | 917-EPC8009ENGREPC8009ENGG |