IPP60R250CP
品牌
供应商
分类
分立半导体产品
物料参数
| PCN设计/规格: | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 |
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | FET - 单 |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| FET类型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 650V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 12A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 250 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 35nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 1200pF @ 100V |
| 功率-最大值: | 104W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 其它名称: | IPP60R250CPAKSA1IPP60R250CPINIPP60R250CPXKIPP60R250CPXKSA1SP000358136 |