EPC2202
品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
GANFET N-CH 80V 18A DIE
物料参数
| 制造商: | EPC |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17 毫欧 @ 11A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 3mA |
| Vgs（最大值）: | +5.75V，-4V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具剖面（6 焊条） |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 漏源电压（Vdss）: | 80 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4 nC @ 5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 415 pF @ 50 V |