EPC2023
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
GANFET N-CH 30V 60A DIE
物料参数
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.3 毫欧 @ 40A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 20mA |
| FET 功能: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2300 pF @ 15 V |