SMA5112
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
6 N-沟道（3 相桥） Mosfet 阵列 250V 7A 4W 通孔 12-SIP
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Sanken |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 250V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 7A |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 500 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 450pF @ 10V |
| 功率-最大值: | 4W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 12-SIP |
| 供应商器件封装: | 12-SIP |