STA434A
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分立半导体产品>>晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述
TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
物料参数
| 晶体管类型: | 2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） |
| 电流-集电极（Ic）（最大值）: | 4A |
| 电压-集射极击穿（最大值）: | 60V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: | 2V @ 10mA，3A |
| 电流-集电极截止（最大值）: | 100µA（ICBO） |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: | 1000 @ 3A，4V |
| 功率-最大值: | 4W |
| 频率-跃迁: | - |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 10-SIP |
| 供应商器件封装: | 10-SIP |