VBZA9410
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 20V 12A SOIC-8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 2.2W |
| 阈值电压: | 3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 输入电容(Ci): | 800pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±16V |
| 反向传输电容Crss: | 73pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 15nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±16V |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 15mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 15nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.3568 |
| 10+ | ¥1.2720 |
| 50+ | ¥1.1448 |
| 150+ | ¥1.0600 |
| 300+ | ¥1.0006 |
| 500+ | ¥0.9752 |
| 包装：1 | 库存：0 |