VBZA9410

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 20V 12A SOIC-8

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:2.2W
阈值电压:3V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:12A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC-8
反向传输电容Crss:73pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:15nC
配置:单路
Vgs(Max):±16V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):15nC
高度:1.75mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.3568
10+¥1.2720
50+¥1.1448
150+¥1.0600
300+¥1.0006
500+¥0.9752
包装:1 库存:0