VBK2298
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs P-沟道 20V 3.1A SOT-323
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 400mW |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3.1A |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 44pF |
| 输入电容(Ci): | 272pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 140mΩ@1.8V,300mA |
| 栅极电荷(Qg): | 6.5nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5424 |
| 10+ | ¥0.5085 |
| 50+ | ¥0.4577 |
| 150+ | ¥0.4238 |
| 300+ | ¥0.4000 |
| 500+ | ¥0.3899 |
| 包装：1 | 库存：0 |