VBK2298

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 20V 3.1A SOT-323

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
功率耗散:400mW
阈值电压:1.5V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.1A
存储温度:-50℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
封装/外壳:SOT-323
反向传输电容Crss:44pF
输入电容(Ci):272pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4.3nC
配置:单路
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):6.5nC
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.5424
10+¥0.5085
50+¥0.4577
150+¥0.4238
300+¥0.4000
500+¥0.3899
包装:1 库存:0