AO6800
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 1.14W |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China Taiwan |
| 连续漏极电流: | 3.5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.05 x 1.65mm |
| 封装/外壳: | TSOP-6 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 26pF |
| 输入电容(Ci): | 400pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 1.8nC |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 6nC |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0848 |
| 10+ | ¥1.0170 |
| 50+ | ¥0.9153 |
| 150+ | ¥0.8475 |
| 300+ | ¥0.8000 |
| 500+ | ¥0.7797 |
| 包装：1 | 库存：0 |