AO6800

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.14W
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP-6
反向传输电容Crss:26pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.8nC
原产国家:China Taiwan
输入电容:400pF
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):6nC
高度:1.10mm
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0