TPM3134NX3

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=950mA P=150mW SOT723

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:No
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:150mW
阈值电压:650mV
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:950mA
封装/外壳:SOT-723-3
反向传输电容Crss:8pF@10V
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:+150℃
原产国家:China Taiwan
最小包装:8000pcs
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):200mΩ@4.5V,550mA
栅极电荷(Qg):1.15nC@4.5V
零件状态:Active
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
20+¥0.2428
800+¥0.1638
3200+¥0.1468
8000+¥0.1192
包装:20 库存:7274