AP2N7002

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:700mW
击穿电压:60V
阈值电压:2.5V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:450mA
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:6pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):2Ω@10V,450mA
栅极电荷(Qg):1.6nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0948
500+¥0.0761
3000+¥0.0634
6000+¥0.0573
24000+¥0.0515
45000+¥0.0484
包装:50 库存:1570