AP2N7002

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:700mW
阈值电压:2.5V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:450mA
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):50pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):1.6nC
零件状态:Active
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
50+¥0.0887
600+¥0.0695
1200+¥0.0685
3000+¥0.0563
包装:50 库存:1570