NCEP85T11
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 145W |
| 阈值电压: | 4.5V |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 110A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | 20V |
| 最小包装: | 50pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 85V |
| 导通电阻(RDS(on): | 6mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 54nC |
| 高度: | 15.60mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.4394 |
| 包装：1 | 库存：8 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.5194 |
| 包装：1 | 库存：5 |