NCEP85T11

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):145W

物料参数

安装类型:插件
功率耗散:145W
阈值电压:4.5V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,55A
包装:Tube packing
连续漏极电流:110A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-220-3
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):85V
栅极电荷(Qg):54nC
高度:15.60mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥4.3035
包装:1 库存:8
价格梯度 价格
1+¥5.5194
包装:1 库存:5