VBTA1220N

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 20V 700mA SC-75-3

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:400mW
阈值电压:1V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:700mA
长x宽/尺寸:1.58 x 0.76mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SC-75-3
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.4nC
配置:单路
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):4.1nC
高度:0.80mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
无库存