AP2315GEN

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道增强型功率MOSFET SOT23S VDS=30V VGS=±16V ID=0.84A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:690mW
阈值电压:3V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.25Ω
包装:Tape/reel
连续漏极电流:840mA
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23
漏极电流:840mA
栅极源极击穿电压:±16V
工作温度:-55℃~+150℃
原产国家:China
输入电容:50pF
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.00mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.7499
100+¥0.7000
300+¥0.6500
500+¥0.6000
2000+¥0.5750
5000+¥0.5600
包装:1 库存:0