WSD14N10DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):14A 功率(Pd):17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:100V
功率耗散:17W
阈值电压:2V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:14A
长x宽/尺寸:3.10 x 3.10mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN-8(3x3)
输入电容(Ci):350pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100V
晶体管类型:N沟道
引脚数:5Pin
价格梯度 价格
1+¥1.2418
10+¥1.1674
30+¥1.0187
100+¥0.9072
500+¥0.8328
1000+¥0.7808
包装:1 库存:4685