WSD14N10DN
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 17W |
| 阈值电压: | 2V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 14A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | DFN-8(3x3) |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容(Ci): | 350pF |
| 反向传输电容Crss: | 1.4pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 4.3nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 导通电阻(RDS(on): | 160mΩ |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2418 |
| 10+ | ¥1.1674 |
| 30+ | ¥1.0187 |
| 100+ | ¥0.9072 |
| 500+ | ¥0.8328 |
| 1000+ | ¥0.7808 |
| 包装：1 | 库存：4685 |