WSD14N10DN

制造商: WINSOK 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: 封装/外壳:DFN3X3-8L FET类型:N-Channel 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:100V

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:17W
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
阈值电压Vgs(th):2V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:14A
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:100V
长x宽/尺寸:3.10 x 3.10mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_3X3MM
输入电容Ciss:350pF
反向传输电容Crss:1.4pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):160mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100V
高度:1.00mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.7870
50+¥1.4921
150+¥1.3658
500+¥1.2082
2500+¥0.9174
5000+¥0.8753
包装:5 库存:0