NCE3407AY

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:30V
阈值电压:3V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:1.5W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.3A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23-3
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:75pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):14nC
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.2616
30+¥0.2520
100+¥0.2328
500+¥0.2136
1000+¥0.2040
包装:1 库存:6673