NCE3407AY

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:3V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:4.3A
封装/外壳:SOT23-3
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):52mΩ@10V,4A
栅极电荷(Qg):14nC
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.1703
30+¥0.1641
100+¥0.1516
500+¥0.1391
1000+¥0.1328
包装:1 库存:0