NCE3407AY

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:3V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.3A
封装/外壳:SOT23-3
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):14nC
高度:1.15mm
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
10+¥0.4770
100+¥0.3729
600+¥0.2802
1200+¥0.2760
3000+¥0.2525
包装:10 库存:53