NCE3407AY

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.3A
长x宽/尺寸:3.02 x 1.70mm
封装/外壳:SOT23-3
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:75pF
输入电容(Ci):700pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:14nC
配置:单路
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):14nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道