AP8810
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1W |
| 阈值电压: | 1V@250μA |
| 额定功率: | 1.5W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 20mΩ@4.5V,6A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 7A |
| 长x宽/尺寸: | 4.50 x 3.10mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TSSOP-8 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 共漏 |
| 输入电容: | 2.6nF |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 45nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 类型: | 2个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.4487 |
| 50+ | ¥0.3632 |
| 1000+ | ¥0.2882 |
| 包装：5 | 库存：5000 |