ME9435

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.3W
阈值电压:2V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
反向传输电容Crss:-
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:16nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):24nC
零件状态:Active
高度:1.75mm
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.3568
10+¥1.2720
50+¥1.1448
150+¥1.0600
300+¥1.0006
500+¥0.9752
包装:1 库存:0