1N60L-T92-K
品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 击穿电压: | 600 |
| 功率耗散: | 1W |
| 阈值电压: | 4V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1.2A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.80mm |
| 封装/外壳: | TO-92 |
| 反向传输电容Crss: | 3 |
| 栅极源极击穿电压: | ±30 |
| 输入电容(Ci): | 120pF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±30 |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 导通电阻(RDS(on): | 11.5Ω@10V,600mA |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.7579 |
| 50+ | ¥0.6029 |
| 150+ | ¥0.5268 |
| 1000+ | ¥0.4650 |
| 包装：5 | 库存：143 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.6378 |
| 包装：1 | 库存：118 |