AO6601

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
阈值电压Vgs(th):-
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:5.5A,3.4A
极性:N-沟道,P-沟道
漏源击穿电压BVDSS:20V
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSOP6
输入电容Ciss:-
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:-
栅极电荷(Qg)(Max):3.6nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.10mm
晶体管类型:MOSFET