AO6601

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.15W
阈值电压:-
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:5.5A,3.4A
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TSOP-6
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:-
配置:-
输入电容:-
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):3.6nC
高度:1.10mm
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0