AO6601

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:1.15W
击穿电压:20V
阈值电压:-
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ,79mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.5A,3.4A
封装/外壳:TSOP-6
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:-
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):3.6nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0