SS8050W

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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):200mW

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:200mW
额定功率:200mW
Vce饱和压降:500mV
集射极击穿电压Vce(Max):25V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):25V
跃迁频率:100MHz
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
封装/外壳:SOT-323
工作温度:+150℃
集电极电流 Ic:1.5A
原产国家:China
零件状态:Active
高度:0.90mm
DC电流增益(hFE):120
晶体管类型:NPN
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
20+¥0.1198
300+¥0.0945
1200+¥0.0935
包装:20 库存:720