SS8050W
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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1.5A集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：200mW
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| Vce饱和压降: | 500mV |
| 集射极击穿电压Vceo: | 25V |
| 跃迁频率: | 100MHz |
| 原产地: | China |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)): | 25V |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极电流 Ic: | 1.5A |
| 特征频率(fT): | 100MHz |
| 高度: | 0.90mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | NPN |
| DC电流增益(hFE): | 120 |
| 引脚数: | 3Pin |