

SS8050W
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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):200mW
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | CBI |
功率耗散: | 200mW |
额定功率: | 200mW |
Vce饱和压降: | 500mV |
集射极击穿电压Vce(Max): | 25V |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): | 25V |
跃迁频率: | 100MHz |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
封装/外壳: | SOT-323 |
工作温度: | +150℃ |
集电极电流 Ic: | 1.5A |
原产国家: | China |
零件状态: | Active |
高度: | 0.90mm |
DC电流增益(hFE): | 120 |
晶体管类型: | NPN |
引脚数: | 3Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
20+ | ¥0.1198 |
300+ | ¥0.0945 |
1200+ | ¥0.0935 |
包装:20 | 库存:720 |