XP202A0003PR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.60 x 2.60mm
封装/外壳:SOT89-3
反向传输电容Crss:145pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:25nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
输入电容:1.355nF
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.8164
包装:1 库存:495