XP202A0003PR

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
阈值电压Vgs(th):2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:6A
极性:P-沟道
漏源击穿电压BVDSS:30V
长x宽/尺寸:4.60 x 2.60mm
封装/外壳:SOT89-3
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
栅极电荷(Qg)(Max):38nC
最小包装:1000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.60mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道