NCE1550

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:插件
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:220W
阈值电压:3.2V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tube packing
连续漏极电流:50A
封装/外壳:TO-220-3
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:154.3pF
输入电容(Ci):3.25nF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):150V
栅极电荷(Qg):163nC
高度:19.15mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥5.4978
包装:1 库存:1