NCE3400A

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
阈值电压Vgs(th):1.1V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:5.3A
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:30V
封装/外壳:SOT23
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:17pF
输入电容Ciss:335pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):33mΩ
原产国家:China Taiwan
栅极电荷(Qg)(Max):6.7nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
晶体管类型:N沟道