AO3422

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:60V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:13pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.1nC
配置:单路
输入电容:180pF
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):6.1nC
晶体管类型:MOSFET
应用:Consumer
价格梯度 价格
1+¥0.7255
包装:1 库存:328