AP3910GD
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ALLPOWER
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 35W |
| 阈值电压: | 1.3V |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 30A |
| 长x宽/尺寸: | 5.75 x 4.90mm |
| 封装/外壳: | PDFN-8(5x6) |
| 反向传输电容Crss: | 160pF@15V |
| 输入电容(Ci): | 790pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 9.5mΩ@10V,10A |
| 栅极电荷(Qg): | 13nC |
| 高度: | 1.10mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.1636 |
| 50+ | ¥1.0052 |
| 150+ | ¥0.9418 |
| 500+ | ¥0.8073 |
| 2500+ | ¥0.7785 |
| 5000+ | ¥0.7551 |
| 包装：5 | 库存：3983 |