VB1330
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 30V 6.5A SOT-23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.1W |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 1.1V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 6.5A |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容(Ci): | 335pF |
| 反向传输电容Crss: | 17pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 2.1nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 33mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 6.7nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
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