AO4485

品牌
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
SO-8 P-Channel -55°C~150°C ±20V -40V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V

物料参数

安装类型:SMT
品牌:AOS
漏源电流(Idss):10A
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
击穿电压:40V
阈值电压:2.5V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:America
连续漏极电流:10A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC-8
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):55nC@10V
高度:1.05mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.7402
50+¥1.3630
150+¥1.2059
500+¥0.9923
包装:5 库存:3556
价格梯度 价格
40+¥1.6560
100+¥1.3200
750+¥1.1808
1500+¥1.1148
3000+¥1.0560
包装:1 库存:14214