AO4485

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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 P 通道 40 V 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC

物料参数

湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
漏源电流(Idss):10A
击穿电压:40V
阈值电压:2.5V
极性:N-沟道
连续漏极电流:10A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC-8
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):3nF
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±20V
栅极电荷(Qg):55nC@10V
高度:1.05mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
安装类型:SMT
功率耗散:1.7W
反向传输电容Crss:180pF
系列:-
FET功能:-
漏源电压(Vdss):40V
导通电阻(RDS(on):15mΩ@10V
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.8179
50+¥1.4414
150+¥1.2851
500+¥1.0715
3000+¥0.9764
6000+¥0.9193
包装:5 库存:8568
价格梯度 价格
40+¥1.6560
100+¥1.3200
750+¥1.1808
1500+¥1.1148
3000+¥1.0560
包装:1 库存:14214