AO4264E
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
SO-8 N-Channel 20V 60V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 13.5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 28pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 25nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 25nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 40+ | ¥1.6560 |
| 100+ | ¥1.3200 |
| 750+ | ¥1.1808 |
| 1500+ | ¥1.1148 |
| 3000+ | ¥1.0560 |
| 包装：1 | 库存：18145 |