AO4264E
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 额定功率: | 3.1W |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 13.5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 28pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 25nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 25nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.1563 |
| 50+ | ¥0.9168 |
| 600+ | ¥0.9031 |
| 包装：5 | 库存：556 |