AO4264E
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 额定功率: | 3.1W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 9.8mΩ@10V,13.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 13.5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 25nC |
| 配置: | 单路 |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 25nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |