VBA2311

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 30V 11.6A SO-8

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:2.5W
阈值电压:3V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:11.6A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SO-8
输入电容(Ci):1.96nF
反向传输电容Crss:325pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.75mm
引脚数:8Pin
无库存