LN2670TZHG
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晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 阈值电压: | 3.2V@250μA |
| 原始制造商: | Leshan Radio Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 70mΩ@10V,3A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 4.6A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT89-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 34pF@30V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 612pF |
| 最小包装: | 1000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 14.6nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5364 |
| 10+ | ¥0.5151 |
| 100+ | ¥0.4640 |
| 500+ | ¥0.4384 |
| 包装：1 | 库存：26 |