LN2670TZHG
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 阈值电压: | 3.2V@250μA |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4.6A |
| 长x宽/尺寸: | 4.50 x 2.50mm |
| 封装/外壳: | SOT-89 |
| 反向传输电容Crss: | 34pF@30V |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 612pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 导通电阻(RDS(on): | 70mΩ@10V,3A |
| 栅极电荷(Qg): | 14.6nC@10V |
| 高度: | 1.60mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 3Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥2.0939 |
| 50+ | ¥1.7659 |
| 150+ | ¥1.6327 |
| 500+ | ¥1.3716 |
| 2500+ | ¥0.9006 |
| 5000+ | ¥0.8526 |
| 包装：5 | 库存：26 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2330 |
| 100+ | ¥0.8683 |
| 1000+ | ¥0.6432 |
| 2500+ | ¥0.5272 |
| 5000+ | ¥0.4584 |
| 包装：1 | 库存：220 |