IRLML0060TRPBF

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:60V
阈值电压:3V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:3.1A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):180pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):86mΩ
栅极电荷(Qg):6.1nC
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥1.3242
50+¥1.0558
600+¥0.7974
1200+¥0.7854
包装:5 库存:745