NCE0224K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):150W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:200V
阈值电压:3.2V@250µA
额定功率:150W
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,15A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:24A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):200V
栅极电荷(Qg):60nC
高度:2.40mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.7044
10+¥2.8518
500+¥2.8090
1000+¥2.7248
2500+¥2.6021
包装:1 库存:1659
价格梯度 价格
1+¥4.6893
包装:1 库存:10