NCE0224K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 200V |
| 阈值电压: | 3.2V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 24A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 75pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 60nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 200V |
| 栅极电荷(Qg): | 60nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.4699 |
| 10+ | ¥5.3116 |
| 30+ | ¥4.6452 |
| 100+ | ¥3.9006 |
| 包装：1 | 库存：0 |