NCE0224K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):150W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:200V
阈值电压:3.2V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:24A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:75pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):200V
栅极电荷(Qg):60nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.6288
10+¥2.7936
500+¥1.7856
包装:1 库存:1715
价格梯度 价格
1+¥4.6893
包装:1 库存:10