S8550T
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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 集电极-基极电压（VCBO）: | -40V |
| 包装: | Tape/reel |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 25V |
| Vce饱和压降: | 500mV |
| 极性: | PNP |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): | 25V |
| 长x宽/尺寸: | 1.70 x 0.90mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-523-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极电流 Ic: | 500mA |
| 原产国家: | China Hong Kong |
| 发射极与基极之间电压 VEBO: | -5V |
| 高度: | 0.80mm |
| DC电流增益(hFE): | 120~400 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0486 |
| 包装：1 | 库存：0 |