AP30H80Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:ALLPOWER
阈值电压:1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:70A
封装/外壳:DFN-8(3.3x3.3)
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:215pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):4.8mΩ@10V
栅极电荷(Qg):33.7nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7140
20+¥0.6510
100+¥0.5880
500+¥0.5250
1000+¥0.4956
2000+¥0.4746
包装:5 库存:3281