AP30H80Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:46W
阈值电压:1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China
连续漏极电流:70A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:DFN-8(3.3x3.3)
元件生命周期:Active
输入电容(Ci):1.614nF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):33.7nC
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7140
20+¥0.6510
100+¥0.5880
500+¥0.5250
1000+¥0.4956
2000+¥0.4746
包装:5 库存:3281